BS108

IRF830

výkonový spínací FET4,5A, 74W, 500V

IRFBE20

FET N-kanál800V 1,8A/25°C 1.2A/100°C 6500mO 54W/25°C Rthjc=2.3°C/W

KF521

MOS pro spínací aplikace 0.1A,20V, 1.5mA/V = 3SK21 http://teslakatalog.cz/KF521.html

KF552

Dvojice MOS tranzistorů s P kanálem http://teslakatalog.cz/KF552.html

IRL540

Power MosFET 100V/20A http://www.jdvd.cz/polovodice/91300.pdf

BF961

ekv. KF961 dual gate 20V 30mA

KF964

MOS tetroda pro VHF aplikace 0.03A,20V,2dB,200MHz = BF964

KF982

MOS tetroda pro VHF aplikace 0.04A,20V,2.8dB,200MHz = BF982

BS170

Unipolární tranzistor, N kanál, THT, 60V, 0,5A, 0,83W, TO92 BS170 Parametry: Idss = 0,5 A Uds = 60 V Ugs = 15 V Pd = 0,83 W Rds = 5 Ohm Dioda = ANO Pouzdro = TO92

IRF2807

HEXFET® Power MOSFET http://www.jdvd.cz/polovodice/tranzistory/irf2807.pdf

KF910

MOS tetroda pro VHF aplikace 0.05A,20V,2.5dB,250MHz

IRF640

MOS-N-FET SMPS 500V/ 8A/ 125W/ rds=0,85Ohm. TO220 G D S D 17p Napětí (Vce, Vds): 500 V Proud: 8,00 A Výkon P_max :125,0 W Odpor R_ds : 0,85 Ohm