|
Tento eshop používá k poskytování služeb, personalizaci reklam a analýze návštěvnosti soubory cookie. Více informací |
Přijmout všechny cookies Personalizovat |
| Přijmout zvolené cookies |
Prosím uvádějte telefonní spojení. Dopravci je vyžadují.
Novinky
řadič sběrnice The UM82C88 is a high performance CMOS Bus Controller manufactured using a self-aligned silicon gate CMOS process. The UM82C88 provides the control and command timing signals for...
Podložka pod MDA2020, MDA2010 pro uchycení chladiče Pokud máte objednaný výše uvedený IO, objednejte si položku 6071 za výhodnější cenu
DB121073-156 ITT Cannon - D-Sub Connector DSUB DB B/S MET PLA STR N SHLD HIGH RELIABILITY, ENVIORNMENTALLY SEALED CONNECTOR IN A SMALLER PACKAGE TT Cannon D-Subminiature high reliability...
Nejprodávanější produkty
FD9631FR3BLK0001 Kostra na feritové jádro ETD29 stojatá, osázená 14 vývody
205513005200 Hrníček průměr 14mm, výška 8mm, materiál H12 Al=1500nH bez mezery
ekv. N87, 45G ETD jádro 39mm, materiál 3F3, bez zabroušení, pár Al=2800nH
Nylon pa 6.6 Rozměry: vnější průměr 9mm, vnitřní průměr 4,3mm, výška 1,4mm
FD9670FR3BLK Kostřička na feritové jádro ETD 49 stojatá, osázená 20 vývody
Aktivní filtry
NPN, 150W, 7,5A, 200V Material of Transistor: Si Polarity: NPN Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 150 W Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 200 V Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|:...
NPN, 150W, 7,5A, 250V Type Designator: 2N1016DMaterial of Transistor: SiPolarity: NPNMaximum Collector Power Dissipation (Pc): 150 WMaximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 250 V Maximum...
NPN, bipolár, TO92 50V/800mA/360mW http://www.jdvd.eu/polovodice/tranzistory/2m3704.pdf
Si výkonový ruský NPNtranzistor Uce=60V, Ic=10A, P=60W http://www.jdvd.cz/polovodice/tranzistory/2t803.pdf
Bipolární PNP tranzistor - Ic = 0,8 A, Pd = 0,625 W, pouzdro TO92 Ic = 0,8 A Uce0 = 45V Ucb0 = 50 V Pd = 0,625 W h21E = 250-630 fT = 260 MHz Pouzdro = TO92
Bipolární NPN tranzistor - Ic = 0,1 A, Pd = 0,625 W, pouzdro TO92 Parametry: Ic = 0,1 A Uce0 = 65 V, Ucb0 = 80 V, Pd = 0,625 W, h21E = 200-450, fT = 300 MHz, Pouzdro = TO92
Bipolární NPN tranzistor - Ic = 0,1 A, Pd = 0,625 W, pouzdro TO92 Parametry: Ic = 0,1 A Uce0 = 30 V, Ucb0 = 30 V, Pd = 0,625 W, h21E = 420..800, fT = 300 MHz, Pouzdro = TO92
NPN Parametry: Ic = 1,5 A Uce0 = 60 V, Ucb0 = 60 V, Pd = 12,5 W, h21E = 100..250, fT = 100 MHz, Pouzdro = TO126
NPN Parametry: Ic = 1,5 A Uce0 = 80 V, Ucb0 = 80 V, Pd = 8 W, h21E = 100..250, fT = 100 MHz, Pouzdro = TO126
Bipolární PNP tranzistor - Ic = 12 A, Pd = 75 W, pouzdro TO220 https://www.ferity.cz/polovodice/tranzistory/bd710.pdfParametry: Ic = 12 A Uce0 = 100 V Ucb0 = 100 V Pd = 75 W h21E = 10 fT = 3 MHz...
VF tranzistor 30V/20mmA 850MHz http://www.jdvd.eu/polovodice/tranzistory/bf180.pdf
VF trantzistor 30V/20mA 600MHz http://www.jdvd.eu/polovodice/tranzistory/bf183.pdf
