Příchytka 5325HF FB pro TR plast černá
UV odolná příchytka na trubky nebo hadici průměr 25mm
Tento eshop používá k poskytování služeb, personalizaci reklam a analýze návštěvnosti soubory cookie. Více informací |
Přijmout všechny cookies Personalizovat |
Přijmout zvolené cookies |
Aktivní filtry
NPN, 150W, 7,5A, 200V Material of Transistor: Si Polarity: NPN Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 150 W Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 200 V Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|:...
NPN, 150W, 7,5A, 250V Type Designator: 2N1016DMaterial of Transistor: SiPolarity: NPNMaximum Collector Power Dissipation (Pc): 150 WMaximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 250 V Maximum...
Ge NPN, Uce15V, Ic 300mA Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.15 W Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 25 V Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 15 V Maximum Emitter-Base Voltage...
NPN, bipolár, TO92 50V/800mA/360mW http://www.jdvd.eu/polovodice/tranzistory/2m3704.pdf
UJT tranzistor 50V 1,5A 300mW http:/www.jdvd.cz/polovodice/tranzistory/2n4870.pdf
Si výkonový ruský NPNtranzistor Uce=60V, Ic=10A, P=60W http://www.jdvd.cz/polovodice/tranzistory/2t803.pdf
PNP, Uce=32V, Ic=3,5.A, P=12.5W, h21e>10, fT=150kHz, Uces=0.4V http://teslakatalog.cz/3NU73.html
PNP, Uce=60V, Ic=3.5A, P=12.5W, h21e>10, fT=150kHz, Uces=0.4V http://teslakatalog.cz/5nu73.html
PNP, Uce=60V, Ic=3.5A, P=12.5W, h21e>10, fT=150kHz, Uces=0.4V http://teslakatalog.cz/5nu73.html TRanzistory byly nevhodně skladované v molitanu. Molitan způsobil korozi (měděnka) a při omývání od...
PNP germaniový tranzistor, pouzdro TO3 Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 22.5 WMaximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 60 VMaximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 40 V Maximum Collector Current...
Bipolární PNP tranzistor - Ic = 0,8 A, Pd = 0,625 W, pouzdro TO92 Ic = 0,8 A Uce0 = 45V Ucb0 = 50 V Pd = 0,625 W h21E = 250-630 fT = 260 MHz Pouzdro = TO92
Bipolární NPN tranzistor - Ic = 0,1 A, Pd = 0,625 W, pouzdro TO92 Parametry: Ic = 0,1 A Uce0 = 65 V, Ucb0 = 80 V, Pd = 0,625 W, h21E = 200-450, fT = 300 MHz, Pouzdro = TO92
Bipolární NPN tranzistor - Ic = 0,1 A, Pd = 0,625 W, pouzdro TO92 Parametry: Ic = 0,1 A Uce0 = 30 V, Ucb0 = 30 V, Pd = 0,625 W, h21E = 420..800, fT = 300 MHz, Pouzdro = TO92