Kostřička na ETD29 vertikální 14 pin
FD9631FR3BLK0001 Kostra na feritové jádro ETD29 stojatá, osázená 14 vývody
Tento eshop používá k poskytování služeb, personalizaci reklam a analýze návštěvnosti soubory cookie. Více informací |
Přijmout všechny cookies Personalizovat |
Přijmout zvolené cookies |
Aktivní filtry
NPN, 150W, 7,5A, 200V Type Designator: 2N1016DMaterial of Transistor: SiPolarity: NPNMaximum Collector Power Dissipation (Pc): 150 WMaximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 200 V Maximum...
NPN, 150W, 7,5A, 250V Type Designator: 2N1016DMaterial of Transistor: SiPolarity: NPNMaximum Collector Power Dissipation (Pc): 150 WMaximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 250 V Maximum...
NPN, bipolár, TO92 50V/800mA/360mW http://www.jdvd.eu/polovodice/tranzistory/2m3704.pdf
UJT tranzistor 50V 1,5A 300mW http:/www.jdvd.cz/polovodice/tranzistory/2n4870.pdf
Si výkonový ruský NPNtranzistor Uce=60V, Ic=10A, P=60W http://www.jdvd.cz/polovodice/tranzistory/2t803.pdf
PNP, Uce=32V, Ic=3,5.A, P=12.5W, h21e>10, fT=150kHz, Uces=0.4V http://teslakatalog.cz/3NU73.html
PNP, Uce=60V, Ic=3.5A, P=12.5W, h21e>10, fT=150kHz, Uces=0.4V http://teslakatalog.cz/5nu73.html
PNP, Uce=60V, Ic=3.5A, P=12.5W, h21e>10, fT=150kHz, Uces=0.4V http://teslakatalog.cz/5nu73.html TRanzistory byly nevhodně skladované v molitanu. Molitan způsobil korozi (měděnka) a při omývání...
PNP germaniový tranzistor, pouzdro TO3 Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 22.5 WMaximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 60 VMaximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 40 V Maximum Collector Current...
Bipolární PNP tranzistor - Ic = 0,8 A, Pd = 0,625 W, pouzdro TO92 Ic = 0,8 A Uce0 = 45V Ucb0 = 50 V Pd = 0,625 W h21E = 250-630 fT = 260 MHz Pouzdro = TO92
Bipolární NPN tranzistor - Ic = 0,1 A, Pd = 0,625 W, pouzdro TO92 Parametry: Ic = 0,1 A Uce0 = 65 V, Ucb0 = 80 V, Pd = 0,625 W, h21E = 200-450, fT = 300 MHz, Pouzdro = TO92
Bipolární NPN tranzistor - Ic = 0,1 A, Pd = 0,625 W, pouzdro TO92 Parametry: Ic = 0,1 A Uce0 = 30 V, Ucb0 = 30 V, Pd = 0,625 W, h21E = 420..800, fT = 300 MHz, Pouzdro = TO92
NPN Parametry: Ic = 1,5 A Uce0 = 60 V, Ucb0 = 60 V, Pd = 12,5 W, h21E = 100..250, fT = 100 MHz, Pouzdro = TO126
NPN Parametry: Ic = 1,5 A Uce0 = 80 V, Ucb0 = 80 V, Pd = 8 W, h21E = 100..250, fT = 100 MHz, Pouzdro = TO126
VF tranzistor 30V/20mmA 850MHz http://www.jdvd.eu/polovodice/tranzistory/bf180.pdf