SSS4N60B
600V/4A 33W N-Channel MOSFET, celopastové pouzdro http://www.jdvd.eu/polovodice/tranzistory/sss4n60b.pdf
|
Tento eshop používá k poskytování služeb, personalizaci reklam a analýze návštěvnosti soubory cookie. Více informací |
Přijmout všechny cookies Personalizovat |
| Přijmout zvolené cookies |
Provozní doba je většinou mezi 17. a 20. hodinou.
Parametry
|
|
|
|
|
|
16 dalších produktů ve stejné kategorii:
600V/4A 33W N-Channel MOSFET, celopastové pouzdro http://www.jdvd.eu/polovodice/tranzistory/sss4n60b.pdf
NPN, 150W, 7,5A, 200V Material of Transistor: Si Polarity: NPN Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 150 W Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 200 V Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 200 V Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 25 V...
Uce 60 V, Ic 20 A, 150 W, TO-3 https://teslakatalog.cz/KD502.html
pro koncové stupně video zesilovačů 160V,90MHz = BF178 https://teslakatalog.cz/KF504.html Cena je vyšší pro potenciální obsah zlata, aby součástka nebyla zajímavá pro zlatokopy.
ruský PNP tranzistor, pouzdro TO220 Pcmax=60W Ic=10A, Icmax=15A IB=3A, IBmax=5A Uce=70V Ueb=5V Icbo=1mA H21e=15-225 vývody : ECB pohled zepředu KT818B
NPN, 120W,18A,160V = BUX41N https://teslakatalog.cz/KUX41N.html
Darlington, NPN, 60V, 10A 150W https:/www.ferity.cz/polovidice/tranzistory/mj3000.pdf