

Tento eshop používá k poskytování služeb, personalizaci reklam a analýze návštěvnosti soubory cookie. Více informací |
Přijmout všechny cookies Personalizovat |
Přijmout zvolené cookies |
Parametry
|
|
|
|
16 dalších produktů ve stejné kategorii:
600V/4A 33W N-Channel MOSFET, celopastové pouzdro http://www.jdvd.eu/polovodice/tranzistory/sss4n60b.pdf
NPN, 75W, 400V, 8A http://www.jdvd.cz/polovodice/tranzistory/bu326.pdf
ruský PNP tranzistor, pouzdro TO220 Pcmax=60W Ic=10A, Icmax=15A IB=3A, IBmax=5A Uce=70V Ueb=5V Icbo=1mA H21e=15-225 vývody : ECB pohled zepředu KT818B
NPN, 150W, 7,5A, 250V Type Designator: 2N1016DMaterial of Transistor: SiPolarity: NPNMaximum Collector Power Dissipation (Pc): 150 WMaximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 250 V Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 250 V Maximum Emitter-Base
N-channel 60V - 0.08R - 16A - TO-220 celoplastové pouzdro STripFET Power MOSFET http://www.jdvd.eu/polovodice/tranzistory/stp16nf06fp.pdf