IRL540

KF907

MOS tetroda pro VHF aplikace 0.04A,20V-5dB/800MHz

BS108

MOSFET N-kanál, Udss= 200V, Id=250mA, Ptot=350mW This TMOS FET is designed for high voltage, high speed switching applications such as line drivers, relay drivers, CMOS logic, microprocessor or TTL...

BF961

ekv. KF961 dual gate 20V 30mA

KF982

MOS tetroda pro VHF aplikace 0.04A,20V,2.8dB,200MHz = BF982

IRFBE20

FET N-kanál800V 1,8A/25°C 1.2A/100°C 6500mO 54W/25°C Rthjc=2.3°C/W

IRF640

MOS-N-FET SMPS 500V/ 8A/ 125W/ rds=0,85Ohm. TO220 G D S D 17p Napětí (Vce, Vds): 500 V Proud: 8,00 A Výkon P_max :125,0 W Odpor R_ds : 0,85 Ohm

KF552

Dvojice MOS tranzistorů s P kanálem http://teslakatalog.cz/KF552.html

IRF830

výkonový spínací FET4,5A, 74W, 500V

KF910

MOS tetroda pro VHF aplikace 0.05A,20V,2.5dB,250MHz

KF966

MOS tetroda pro UHF aplikace 0.03A,20V,3.9dB,200MHz

IRF2807

HEXFET® Power MOSFET http://www.jdvd.cz/polovodice/tranzistory/irf2807.pdf

KF521

MOS pro spínací aplikace 0.1A,20V, 1.5mA/V = 3SK21 http://teslakatalog.cz/KF521.html

KF964

MOS tetroda pro VHF aplikace 0.03A,20V,2dB,200MHz = BF964

BS170

Unipolární tranzistor, N kanál, THT, 60V, 0,5A, 0,83W, TO92 BS170 Parametry: Idss = 0,5 A Uds = 60 V Ugs = 15 V Pd = 0,83 W Rds = 5 Ohm Dioda = ANO Pouzdro = TO92