Knoflík 4mm kulatý se šipkou, seříznutá...
Rozměry: průměr 22mm, celková výška 16,8mm, vrtat otvor 7mm, hmatníková část má výšku 10,5mm. Část se šipkou má přůměr 17,5mm, šipka má výšku 15,5, šířku 3,5/1,9mmKnoflík má ocelovou pérko, které...
Tento eshop používá k poskytování služeb, personalizaci reklam a analýze návštěvnosti soubory cookie. Více informací |
Přijmout všechny cookies Personalizovat |
Přijmout zvolené cookies |
Prosím uvádějte telefonní spojení. Dopravci je vyžadují.
Aktivní filtry
600V/4A 33W N-Channel MOSFET, celopastové pouzdro http://www.jdvd.eu/polovodice/tranzistory/sss4n60b.pdf
zohýbané vývody !!! MOSFET N-kanál 25W 800V 2,5A http://www.jdvd.eu/polovodice/tranzistory/sft3nk80z.pdf
N-channel 60V - 0.08R - 16A - TO-220 celoplastové pouzdro STripFET Power MOSFET http://www.jdvd.eu/polovodice/tranzistory/stp16nf06fp.pdf
N-CHANNEL 600V - 3.3W - 2.4A TO-220 celoplastové pouzdro Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET http://www.jdvd.eu/polovodice/tranzistory/stp3nk60zfp.pdf
NPN, 700V 5A 12,5W kovové pouzdro TO-3 = BU208A http://teslakatalog.cz/SU160.html
PNP Germanium F: 0.5 mA; U F: 2 V; Isp: 5 µA; ß (beta): 20-50; N: 75 mW; Imax(Ic): 10 mA; Umax(Uce): -15 V; f g(FT): 2 MHz; tmax j: 75 °C.
NPN darlington 5A/100V 65W TO-220 Parametry: Ic = 5 A Uce0 = 100 V, Ucb0 = 100 V, Pd = 65 W, h21E = 1000..15000, fT = - MHz, Pouzdro = TO220AB
NPN darlington 8A/100V 70W TO-220 Parametry: Ic = 8 A Uce0 = 100 V, Ucb0 = 100 V, Pd = 70 W, h21E = 500..15000, fT = - MHz,
Bipolární PNP tranzistor - Ic = 10 A, Pd = 80W, pouzdro TO247 Designed for Complementary Use with the TIP33 Series80 W at 25°C Case Temperature 10 A Continuous Collector Current 15 A Peak...
Bipolární NPN tranzistor - Ic = 25 A, Pd = 125 W, pouzdro TO247 Parametry: Ic = 25 A Uce0 = 100 V, Ucb0 = 100 V, Pd = 125 W, h21E = 25, fT = 3 MHz, Pouzdro = TO247