SSS4N60B
600V/4A 33W N-Channel MOSFET, celopastové pouzdro http://www.jdvd.eu/polovodice/tranzistory/sss4n60b.pdf
Tento eshop používá k poskytování služeb, personalizaci reklam a analýze návštěvnosti soubory cookie. Více informací |
Přijmout všechny cookies Personalizovat |
Přijmout zvolené cookies |
Parametry
|
|
|
|
16 dalších produktů ve stejné kategorii:
600V/4A 33W N-Channel MOSFET, celopastové pouzdro http://www.jdvd.eu/polovodice/tranzistory/sss4n60b.pdf
zohýbané vývody !!! MOSFET N-kanál 25W 800V 2,5A http://www.jdvd.eu/polovodice/tranzistory/sft3nk80z.pdf
NPN, 75W, 400V, 8A http://www.jdvd.cz/polovodice/tranzistory/bu326.pdf
ruský PNP tranzistor, pouzdro TO220 Pcmax=60W Ic=10A, Icmax=15A IB=3A, IBmax=5A Uce=70V Ueb=5V Icbo=1mA H21e=15-225 vývody : ECB pohled zepředu KT818B
Si výkonový ruský NPNtranzistor Uce=60V, Ic=10A, P=60W http://www.jdvd.cz/polovodice/tranzistory/2t803.pdf
NPN Parametry: Ic = 1,5 A Uce0 = 60 V, Ucb0 = 60 V, Pd = 12,5 W, h21E = 100..250, fT = 100 MHz, Pouzdro = TO126