BD137
NPN Parametry: Ic = 1,5 A Uce0 = 60 V, Ucb0 = 60 V, Pd = 12,5 W, h21E = 100..250, fT = 100 MHz, Pouzdro = TO126
Tento eshop používá k poskytování služeb, personalizaci reklam a analýze návštěvnosti soubory cookie. Více informací |
Přijmout všechny cookies Personalizovat |
Přijmout zvolené cookies |
Parametry
|
|
|
|
16 dalších produktů ve stejné kategorii:
NPN Parametry: Ic = 1,5 A Uce0 = 60 V, Ucb0 = 60 V, Pd = 12,5 W, h21E = 100..250, fT = 100 MHz, Pouzdro = TO126
N-CHANNEL 600V - 3.3W - 2.4A TO-220 celoplastové pouzdro Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET http://www.jdvd.eu/polovodice/tranzistory/stp3nk60zfp.pdf
Uce 80 V, Ic 20 A, 150 W, TO-3 https://teslakatalog.cz/KD503.html
ruský PNP tranzistor, pouzdro TO220 Pcmax=60W Ic=10A, Icmax=15A IB=3A, IBmax=5A Uce=70V Ueb=5V Icbo=1mA H21e=15-225 vývody : ECB pohled zepředu KT818B
Bipolární PNP tranzistor - Ic = 12 A, Pd = 75 W, pouzdro TO220 https://www.ferity.cz/polovodice/tranzistory/bd710.pdfParametry: Ic = 12 A Uce0 = 100 V Ucb0 = 100 V Pd = 75 W h21E = 10 fT = 3 MHz Pouzdro = TO220
600V/4A 33W N-Channel MOSFET, celopastové pouzdro http://www.jdvd.eu/polovodice/tranzistory/sss4n60b.pdf
PNP, bipolární, 75W, 60V, 10A http://www.ferity.cz/polovodice/tranzistory/mje3055t.pdfnesplňuje RoHS
Si výkonový ruský NPNtranzistor Uce=60V, Ic=10A, P=60W http://www.jdvd.cz/polovodice/tranzistory/2t803.pdf