
BD139
NPN Parametry: Ic = 1,5 A Uce0 = 80 V, Ucb0 = 80 V, Pd = 8 W, h21E = 100..250, fT = 100 MHz, Pouzdro = TO126
Tento eshop používá k poskytování služeb, personalizaci reklam a analýze návštěvnosti soubory cookie. Více informací |
Přijmout všechny cookies Personalizovat |
Přijmout zvolené cookies |
Parametry
|
|
|
|
16 dalších produktů ve stejné kategorii:
NPN Parametry: Ic = 1,5 A Uce0 = 80 V, Ucb0 = 80 V, Pd = 8 W, h21E = 100..250, fT = 100 MHz, Pouzdro = TO126
N-CHANNEL 600V - 3.3W - 2.4A TO-220 celoplastové pouzdro Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET http://www.jdvd.eu/polovodice/tranzistory/stp3nk60zfp.pdf
NPN, 150W, 7,5A, 250V Type Designator: 2N1016DMaterial of Transistor: SiPolarity: NPNMaximum Collector Power Dissipation (Pc): 150 WMaximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 250 V Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 250 V Maximum Emitter-Base
Darlington, NPN, 60V, 10A 150W https:/www.ferity.cz/polovidice/tranzistory/mj3000.pdf
600V/4A 33W N-Channel MOSFET, celopastové pouzdro http://www.jdvd.eu/polovodice/tranzistory/sss4n60b.pdf
Prohlédnuté produkty
rozměr 7,5x15x17,3mm. Hmatník má ergonomickou prohlubeň